Page 45 - 理化检验-物理分册2023年第十期
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张 革, 等: 同时制备多个透射电镜截面试样的离子减薄方法

            层膜为例, 采用上述一次离子束减薄的方法同时制                            多层 膜 的 周 期 厚 度 为 8.10nm , Mo 层 厚 度 为


            备了4个 TEM 截面试样, 利用 TEM 分析薄膜的厚                      4.1nm 。 300℃退火的 Mo / Si 多层膜的周期厚度为


            度和晶体结构等信息, 结果如图 2 所示。厚度为                          7.99nm , Mo层厚度为4.5nm 。说明 Mo元素可能

            32.4nm 的 Mo薄膜完全结晶, 晶体结构为体心立                        发生了扩散。 TEM 截面试样 Si基底[ 110 ] 的晶格

            方; 厚度为31.2nm 的 Si 薄膜为非晶体结构。 Mo /                   条纹十分清晰, 有大面积的薄区。由此可以看出, 该

            Si 多层膜有 40 个周期, 其中 150 ℃ 退火的 Mo / Si               方法制备出的 TEM 截面试样成功率高。




























                                     图2 Si 基底的 Mo 、 Si 单层膜和 Mo 、 Si 多层膜截面试样的 TEM 形貌

            3 讨论                                               参考文献:






                 该方法可以灵活变动, 在试样数量上, 可以直接                        [ 1 ]  LOUISE , YAKSHIN A E , TSARFATIT , etal.

            用两个不同的薄膜试样对黏, 或者在其中间加入 1                                Nanometer interface and materials control for

            对或多对薄膜试样的薄片, 根据实际需求进行选择,                                multila y erEUV-o p ticala pp lications [ J ] .Pro g ressin


            但中间加入的薄片厚度应控制在 500 μ m 以内, 否                            SurfaceScience , 2011 , 86 ( 11 / 12 ): 255-294.

                                                                [ 2 ]  YULIN S , FEIGL T , KUHLMANN T , et al.
            则远离中心的试样难以减薄。特别注意的是, 在
                                                                    Interla y ertransitionzonesinMo / Sisu p erlattices [ J ] .
            TEM 下无法区分的试样, 需要提前记录试样的对
                                                                    JournalofA pp liedPh y sics , 2002 , 92 ( 3 ): 1216-1220.
            黏顺序, 可以通过增加不同的试样或者控制基底的
                                                                [ 3 ]  NEDELCUI , VANDEKRUIJSR W E , YAKSHIN
            厚度来区分。另外, 可采用自动精密研磨机或者其                                 AE , et al.Thermall yenhancedinterdiffusioninMo /






            他研磨方法研磨试样          [ 15-17 ] ; 研磨基底时不用将两个               Simultila y ers [ J ] .JournalofA pp liedPh y sics , 2008 ,




            试样对黏, 可分别研磨两个试样的基底后再对黏, 但                               103 ( 8 ): 083549.

            由于膜面没有 G1 胶的保护, 可能会引入较大的                            [ 4 ]  ZHAO JL , YI K , WANG H , etal.Influenceof

            应力。                                                     de p osition rate on interface width of Mo / Si

                                                                    multila y ers [ J ] .ThinSolidFilms , 2015 , 592 : 256-261.
            4 结语                                                [ 5 ]  李超逸, 陶保全, 郭祥帅, 等. 极紫外多层膜技术的研
                                                                    究进展[ J ] . 量子光学学报, 2020 , 26 ( 4 ): 397-408.
                 介绍了一种通过一次离子减薄同时制备多个
                                                                [ 6 ]   HÖCHE  T. Cross-sectional  hi g h-resolution
            TEM 截面试样的方法, 不仅极大地提高了 TEM 制
                                                                    transmissionelectronmicrosco py atMo / Simultila y er
            样的效率, 同时避免了分批制样带来的随机误差。
                                                                    stacks [ J ] .International Journal of Materials
            在控制最终研磨厚度时, 采用铜支撑环作为参照物,                                Research , 2022 , 97 ( 7 ): 1046-1050.
            进一步提高了效率。                                                                            ( 下转第33页)
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