Page 52 - 理化检验-物理分册2021年第九期

黄德明, 等: 不同类型钛及钛合金金相试样制备方法

图2 三步法磨抛的 TA1工业纯钛金相试样不同步骤的表面形貌

Fi g 2 Surfacemor p holo gy ofmetallo g ra p hicsam p leofTA1industrial p uretitaniumunderdifferentste p sb y three-ste pg rindin g and p olishin g

a g rindin g b rou g h p olishin g c fine p olishin g
与工业纯钛的不同, TA10 , TA15 , TA17 , TA18 磨, 选用 P800型碳化硅砂纸水磨, 其他参数与粗磨
等其他牌号的α型钛合金, 可采用二道磨制、 一道抛 的相同, 精磨后试样表面划痕细小均匀, 无明显的大
光, 即“ 二磨一抛” 三步法进行磨抛。以 TA10合金 划痕, 见 图 3b )。最 后 进 行 抛 光, 抛 光 剂 选 用

为例, 其具体的磨抛工艺参数见表3 。先用 P320型 TexMetC型抛光布和粒径为 1 μ m 的金刚石悬浮
碳化硅砂纸进行水冷粗磨, 磨盘旋转方向与动力头 液, 抛光时磨盘的转向与动力头的相反, 转速设定为

的相同, 转速为 250r · min , 试样上施加压力为 150r · min , 试样压力为 44~54N , 抛光时间为
-1
-1

23~27N , 磨制时间为3~5min 。粗磨制后试样表 8~10min , 抛光后试样表面光洁、 无明显的抛光痕

面平整, 存在少量大划痕, 见图 3a )。然后进行精 迹, 见图3c )。
表3 三步法磨抛 TA10α型钛合金金相试样的工艺参数

Tab 3 Process p arametersofthree-ste pg rindin g and p olishin g ofmetallo g ra p hicsam p leofTA10αtitaniumallo y
工序 磨料及规格 磨抛剂 磨盘相对动力头转向 磨盘转速 /( r · min ) 试样压力 / N 磨抛时间 / min
-1
粗磨 P320型碳化硅磨纸 蒸馏水 同向 250 23~27 3~5
精磨 P800型碳化硅磨纸 蒸馏水 同向 250 23~27 3~5

抛光 TexMetC型抛光布 粒径为1 μ m 的金刚石悬浮液 逆向 150 44~54 8~10

图3 三步法磨抛的 TA10合金金相试样不同步骤的表面形貌

Fi g 3 Surfacemor p holo gy ofmetallo g ra p hicsam p leofTA10allo y underdifferentste p sb y three-ste pg rindin g and p olishin g

a rou g h g rindin g b fine g rindin g c p olishin g
3.2 α+ β 型钛合金金相试样磨抛方法 图4a )。然后精磨, 选用 P800 型碳化硅砂纸水磨,
其他参数与粗磨的相同, 精磨后试样表面大划痕消
对于 α+ β 型钛合金( 包括 TC4 , TC11 , TC18
等) 可采用二道磨制、 二道抛光, 即“ 二磨二抛” 四步 除, 只有很细小的磨痕, 见图 4b )。之后粗抛, 选用

法进行磨制。以 TC18 合金为例, 其具体工艺参数 TexMetC型抛光布和粒径为 9 μ m 的金刚石悬浮
见表4 。先用 P320型碳化硅砂纸水冷粗磨, 磨盘旋 液抛光剂, 抛光时磨盘的转向与动力头的相反, 转速

-1
-1
转方向与动力头的相同, 转速设定为250r · min , 为150r · min , 试样压力为44~50N , 抛光时间为

每个试样上施加压力为23~27N , 磨制时间为3~ 8~10min , 抛光后试样表面局部还存在细小的划

5min 。粗磨 制 后 试 样 表 面 有 比 较 大 的 划 痕, 见 痕, 见图4c )。最后精抛, 选用 TexMetC型抛光布
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