Page 54 - 理化检验-物理分册2021年第四期

尚俊玲, 等: 加速电压及线系对钨在 SiC / W 扩散偶中分布分析的影响

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图 7 经过软件再处理后在 20kV 加速电压下 SiC / W 扩散偶线
扫描元素分布图 [ 8 ] 刘军涛 . 一种能谱仪重叠峰分峰软件[ J ] . 分 析 仪 器,
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Fi g 7 Elementdistributionima g esoflinescannin g ofSiC Wdiffusion
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cou p leunder20kVacceleratin g volta g eafter

softwarere p rocessin g [ J ] . 电子显微学报, 1992 ( 1 ): 37-42.

a linescannin gp ositionofbackscatterin g ima g e [ 10 ] 吴东晓, 张大同, 郭莉萍 . 扫描电镜低电压条件下的应

b linescannin g curvesofSielementandWelement 用[ J ] . 电子显微学报, 2003 , 22 ( 6 ): 655-656.

为 3.6×10 keV ), 导致钨元素与硅元素发生线系 [ 11 ] MATSUO G , SHIBAYAMA T , KISHIMOTO H ,
-2

重叠, 从而在元素的面分布和线分布中出现钨元素 etal.Micro-chemicalanal y sisofdiffusionbondedW-

分布紊乱的情况。通过提高加速电压到 20kV , 钨 SiC j oint [ J ] .JournalofNuclearMaterials , 2011 , 417 :

391-394.
元素激发出 L 线系, 钨元素的 L 线系和硅元素的 K

[ 12 ] LI H X , ZHONG Z H , ZHANG H B , etal.

线系的能量差增大( 6.6587keV ), 避免了 10kV 下

Microstructurecharacteristicanditsinfluenceonthe
钨元素和硅元素的线系重叠问题, 得到了钨元素在
stren g thofSiC ceramicj ointsdiffusion bonded b y

材料中的正确面分布和线分布结果。通过将 20kV
s p arkp lasmasinterin g [ J ] .CeramicsInternational ,
下得到的面分布和线分布数据进行再处理, 将钨元
2018 , 44 : 3937-3946.
素的线系从 L 改回 M 后, 钨元素回归紊乱分布, 这 [ 13 ] WU LX , GUO W M , NIU W B , etal.Pressureless

进一步验证了 10kV 下钨元素分布紊乱是由钨元 j oinin g of SiC ceramics atlow tem p erature [ J ] .

素的 M 线系和硅元素的 K 线系重叠引起的。 Ceramics International , 2019 , 45 : 6556-6559.

建议在采用能谱仪对材料进行分析时, 应当对 [ 14 ] LISJ , ZHOU Y , DUAN HP , etal.Joinin gofSiC

软件自动得到的结果与样品实际情况进行 对比分 ceramics to Ni-based su p erallo y with functionall y

析, 判断得到的结果是否正确。对于轻元素的 K 线 g radientmaterialfillersandatun g stenintermediate

la y er [ J ] .JournalofMaterialsScience , 2003 , 38 : 4065-
系与重元素的 M 线系重叠的情况, 可提高加速电压
4070.
到 20kV , 使过压比达到 2~3 , 激发重元素的高能

线系。
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