Page 39 - 理化检验-物理分册2019年第六期
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李 萍, 等: X 射线衍射法测定纳米晶纯铝的平均晶粒尺寸


            等, 这样可以达到有效简化的目的. Klu g 等证实晶                          图 2 所示为硅标准样品的积分宽度拟合结果.
            粒细化引起的宽化更接近 Cauch y 方 程, 而 微观应
            变引起的宽化更接近 Gaussian 方程.物理积分宽
            度可以用下式分离出来           [ 5 ]
                            β        æ β ins ö  2
                               = 1-  ç   ÷             ( 2 )
                           β ex p    è β ex pø
            式中: 是物理积分宽度;               是试验测得的积分宽
                 β
                                   β ex p
            度; 是仪器积分宽度.
               β ins
                 仪器宽化是不可避免的, 可以通过选择标准样
            品来得到仪器线型 g x ), 进而得到仪器积分宽度.
                               (
                 分离出物理积分宽度后, 接下来就可以根据“ 积
            分宽度法” 计算平均晶粒尺寸, 此方法认为晶粒尺寸
            接近 Cauch y 分布, 微观应变接近 Gaussian分布, 可
            根据下式进行拟合求解           [ 6 ]

                         2
                       β     kλ     β     +16e 2       ( 3 )
                         2 =
                      tanθ    L tanθsinθ
            式中: 同上所述为物理积分宽度, 单位为弧度; θ 为                                 图 1  硅标准样品和纯铝样品的 XRD 谱
                 β
                                        [ 5 ]
            布拉格角; K 为常数, 通常取 1 ; λ 为 X 射线波长,                       Fi g 敭1 XRDp atternsofa  standardsiliconsam p leand
            λ=0.15406nm ; L 为平均晶粒尺寸; e 为微观应变.                                b  p urealuminumsam p le
                 对衍射峰作     β tanθG β tanθsinθ ) 的线性拟                 表 1  硅标准样品和纯铝样品各衍射峰的位置 2 θ 、
                                 2
                             2
                             /
                                     /(
            合, 其中斜率等于 kλ / L , 截距等于 16e , 根 据拟合                             晶面指数( hkl ) 和积分宽度 β
                                               2
                                                                Tab敭1 The p eakp ositions2θ Millerindices   hkl  andinte g ral
            出的数据即可求解出平均晶粒尺寸和微观应变.
                                                                 widthes βofstandardsiliconsam p leandp urealuminumsam p le
            2  试样制备与试验方法                                               硅标准样品                   纯铝样品
                                                                2θ /( ° )  ( hkl )  β °  2θ /( ° )  ( hkl )  β °
                                                                                 /()
                                                                                                        /()
                 将雾化的铝粉末在液氮环境下机械球磨 8h , 球
                                                                47.235   220    0.102   38.380   111   0.256
            磨前加入0.2% ( 质量分数) 的硬脂酸( C 17H 35COOH )
            作为过程控制剂.球磨罐和磨球材料均为不锈钢, 球                            56.057   311    0.093   44.621   200   0.289
            料体积比为 10∶1 .除气完成后进行放电等离子烧                           69.059   400    0.103   64.981   220   0.360
            结, 将铝粉未烧结成块状.采用 D / MAXGRB 型 X 射                    76.303   331    0.105   78.101   311   0.451
            线衍射仪( XRD ) 对块体纯铝材料表层进行分析, 采用                       87.962   422    0.112   82.320   222   0.457
                                                                94.882   511    0.124
            步进慢扫, 步长为0.02° , 采样时间为每步4s .
                                                               106.644   440    0.125
            3  试验结果与讨论                                         114.037   531    0.145

                 选择完全退火的硅粉末作为标准样品.图 1 所
            示为硅标准样品和纯铝样品的 XRD 谱.表 1 列出
            了各个样品的衍射角 2 θ 、 晶面指数( hkl ) 和积分宽
            度 .由于标准样品与测试样品不是同一种材料,
              β
            得到的积分宽度不是在相同的衍射角, 所以需要对
            标准样品的积分宽度随衍射角的变化进行拟合, 以
            便任何衍射角度都适用.通常采用下式进行拟合                       [ 7 ]
                2
                                  2
              β ins= u ( tanθ-0.06 ) +v ( tanθ-0.6 ) +w
                                                       ( 4 )            图 2  硅标准样品积分宽度法拟合结果
                 β ins 是标准样品的积分宽度, 即同上所述的仪
            式中:                                                    Fi g 敭2 Thefittin g resultsofstandardsiliconsam p leb y
                                                                              inte g ralwidthmethod
            器积分宽度; u , v , w 是可控参数; θ 是布拉格角.
             3 8 6
   34   35   36   37   38   39   40   41   42   43   44