Page 19 - 理化检验-物理分册2018第四期
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白 涛, 等: 三类内应力之间的关系及其对疲劳的作用


                 工程中标注的数值都带有误差或分散度 ± , 但                      II类应力, 而不是与宏观应力之间的差值.即单独
            残余应力值无 ± , 这是由于只有应变分散度, 不能写                        测定II类应力, 而非围绕宏观应力上下的波动值,
            成应力分散度的缘故, 这种现象不能误解为残余应                            而是其绝对值.
            力测定值准确, 误差或分散度小.另一种误解是, 衍                         1.4  半高宽和硬度的相关性
            射谱线中不提应力分散度后, 其宽度就只与晶粒度                                如果认定半高宽( FullWidthatHalfMaximum ,
            和位错密度有关, 也即展宽仅与III类应力有关了.                         FWHM ) 只与晶粒度和位错密度有关, 则可以认为半
            1.3 II类应力的测定                                       高宽就只与硬度相关, 因而业界普遍将半高宽的变化
                I类应力即残余应力的测定方法非常成熟, 并已                         作为硬度变化的标识.这个认识也表现在图 8 中不
            经获得了广泛的工程应用, 如 X 射线法、 盲孔法等.                        同喷丸强度半高宽的变化上, 喷丸后半高宽下降即认
            而II类应力的测定, 目前在工程应用上尚存在一定的                          为硬度降低; 提高喷丸强度, 表面硬度会再次提高                   [ 4 ] .
            难度. II类应力处于晶粒尺度, 早期测定有较大的难                         实际上当时国内就有质疑, 李家宝等              [ 5 ] 通过表层屈服
            度, 只有双相材料、 硬质合金等测过II类应力, 测定的                       强度的测定表明喷丸后是强化, 如图 9 所示, 得到的
            数值也是统计平均值而非某一微区的应力值.电子                             结论如下: 半高宽下降并非硬度降低, 而是微观应力
            束散射衍射( EBSD ) 及聚集离子束( FIB ) 技术的发展,                 减小的原故, 但注意到此文重要性的人员很少.直接
            使测定某微区的应力值成为可能.图 6 是采用环芯                           比 较中 碳钢滚压表层的半高宽和硬度 , 如图 10 所
            法将试样切成岛状, 测定应力释放前后标定点的位
            移, 计算微区应力       [ 3 ] .图7是在西安交大用聚焦离子
            束在硅片的2.6 μ m 铜膜上试验盲孔法.







                                                                            图 8  喷丸强度与半高宽关系
                                                               Fi g 敭8 Therelationshi pbetweenshot p eenin g intensit y andFWHM


                             图 6 FIB 环芯法
                       Fi g 敭6 Rin g coremethodwithFIB
                  a  FIBrin g core p osition b  FIBrin g core p rocess
                            c  FIBrin g corefinish













                             图 7 FIB 盲孔法
                      Fi g 敭7 Holedrillin gmethodwithFIB
                       a  430nmde p th b  1100nmde p th
                II类应力测定的区域在微米量级, X 射线法难
            以满足多晶条件, 故采用机械法.因其损伤只在微
            米尺度, 国际上在有损和无损之外, 为之增加一种分                                 图 9  喷丸表层半高宽和屈服强度的变化曲线
            类, 称之为微创法.                                             Fi g 敭9 Thechan g ecurvesofFWHMandy ieldstren g th
                 就测试方法可以看出测得的应力应该属于微区                                         ofthe p eenedsurface
                                                                     a  FWHMdecreasin g  b  y ieldstren g thincreasin g
            内的宏观残余应力, 相当于图 1 中从零坐标计算的
                                                                                                        2 3 5
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