Page 50 - 理化检验-物理分册2024年第十一期
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刘岳鹏,等:典型压电材料在液氮低温环境下的压电性能


              果如表5所示。由表5可知:室温下5种材料的介质                                160.
              损耗测试结果与出厂参数具有较好的一致性;液氮                              [3]  兰春锋,聂恒昌,陈学锋,等. 致密PZT95/5铁电陶瓷
              低温环境下,5种材料的介质损耗都存在不同程度                                 低温相结构与电性能研究[J]. 无机材料学报,2013,
                                                                     28(5):502-506.
              的增大,能量转换效率降低,从对比恢复室温后的
                                                                  [4]  薛伟江. 低温下结构陶瓷的相变、断裂机理与性能研
              介质损耗可以看出,这种转变存在不可逆性,表明
                                                                     究[D]. 北京:清华大学,2013.
              BaTiO 3 、BST不适宜大温度区域交替变化的使用                         [5]  GERSON  R. Piezoelectric  and  dielectric  properties  of
              工况;PZT251、PMN-PT、PZT255的低温介质损耗                         lead  titanate  zirconate  ceramics  at  low  temperatures[J].

              相对变化及恢复室温介质损耗相对变化都不超过                                  Journal of Applied Physics,1962,33(3):830-832.
              20%,表现出较优异的介质损耗稳定性。                                 [6]  WANG D,FOTINICH Y,CARMAN G P. Influence of

              3   结论                                                 temperature on the electromechanical and fatigue behavior
                                                                     of piezoelectric ceramics[J]. Journal of Applied Physics,
                 (1)在液氮低温环境下,压电材料的谐振电阻及

                                                                     1998,83(10):5342-5350.
              谐振频率都存在不同程度的增大,BST的变化最小。                            [7]  黄滟荻. 弛豫铁电铌镁酸铅-钛酸铅单晶畴翻转动力学
                 (2)在液氮低温环境下,压电材料的介电常数、                              研究[D]. 哈尔滨:哈尔滨工业大学,2019.

              平面机电耦合系数均存在不同程度的减小,介质损                              [8]  尹鹤瞳. 低温下PZT的电学参数测量及其冲击力电耦
              耗均存在不同程度的增大,BST的变化最小,说明                                合机理[D]. 沈阳:沈阳理工大学,2021.
              5种压电材料的能量变换能力都发生了不同程度的                              [9]  吉静,徐凌云,吴欢,等. MSP方法评价PZT压电陶瓷
              减弱。                                                    的抗弯强度[J]. 理化检验(物理分册),2016,52(5):308-
                                                                     311.
                 (3)液氮低温环境会对BaTiO 3 及BST的介质

                                                                  [10]  魏艳萍,卢焕明,魏安祥,等. 基于扫描探针显微术研
              损耗造成不可逆的影响。
                                                                     究Pb(Zr,Ti)O 3 铁电薄膜的电学性质[J]. 理化检验(物
              参考文献:                                                  理分册),2015,51(8):560-563.
                                                                  [11]  张沛霖, 张仲渊. 压电测量[M]. 北京:国防工业出版社,
                [1]  SEKHAR  M  C,VEENA  E,KUMAR  N  S,et  al. A     1983.
                   review  on  piezoelectric  materials  and  their  applications[J].    [12]  李昭. 高性能锆钛酸铅基压电陶瓷的制备及性能调控
                   Crystal Research and Technology,2023,58(2):2200130.  机理研究[D]. 北京:北京邮电大学,2023.
                [2]  陈海波,谢志鹏. 3Y-TZP陶瓷低温下相变与特殊的力                  [13]  王晓娜. PSN-PZT压电陶瓷的性能研究[D]. 天津:天
                   学性能[J]. 稀有金属材料与工程,2009,38(增刊2):157-               津大学,2012.



































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